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悲痛和悲恸的区别在哪,比悲伤更高级的词

悲痛和悲恸的区别在哪,比悲伤更高级的词 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

  审查发现,美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn),对(duì)我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查,目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全,是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全(quán),依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》,对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。悲痛和悲恸的区别在哪,比悲伤更高级的词p>

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu),也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī),2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉悲痛和悲恸的区别在哪,比悲伤更高级的词(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析,如(rú)果美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制,或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(z悲痛和悲恸的区别在哪,比悲伤更高级的词uì)关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔(kǒng),未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单,设(shè)备国产化进程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)(薄膜(mó)沉积)等(děng)相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升,以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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